dann sollten die SSDs noch schneller werden

[Fred_EM]

Wow, das hat Potential.

Wenn es Intel schafft, die Elektronen bei der 3-Bit Zelle genauso schnell zu zählen wie be der 2-Bit Zelle, dann dürften die SSDs noch schneller werden.

Bei einer 3-Bit Zelle muss die Anzahl der Elektronen noch genauer gezählt werden als bei 2-Bit. Wenn genauer langsamer heißt ("nur it hudle") dann würde der Speicher zwar langsamer, aber immerhin billiger.

Ich hoffe mal, dass sie die 3-Bit Zelle genauso schnell behandeln können wie die 2-Bit Zelle. Dann würden die SSDs nicht nur billiger sondern auch ein bisschen schneller (Daten werden kompakter gespeichert).

Gute Nachrichten von Intel. Sowas hört man gerne.

[ITsMe]

eigentlich werden die dinger nicht schneller wenn es 3 bit sind sondern langsamer, weil er weniger zellen hat zum gleichzeitig lesen und vorallem zum schreiben.

Eigentlich müsste es erheblich langsamer werden als bei 2 bit da er öfterlesen und schreiben muss um daten zu speichern.

[IhrName9999]

Fred_EM schrieb:
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> Wow, das hat Potential.
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> Wenn es Intel schafft, die Elektronen bei der
> 3-Bit Zelle genauso schnell zu zählen wie be der
> 2-Bit Zelle, dann dürften die SSDs noch schneller
> werden.
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> Bei einer 3-Bit Zelle muss die Anzahl der
> Elektronen noch genauer gezählt werden als bei
> 2-Bit. Wenn genauer langsamer heißt ("nur it
> hudle") dann würde der Speicher zwar langsamer,
> aber immerhin billiger.
>
> Ich hoffe mal, dass sie die 3-Bit Zelle genauso
> schnell behandeln können wie die 2-Bit Zelle. Dann
> würden die SSDs nicht nur billiger sondern auch
> ein bisschen schneller (Daten werden kompakter
> gespeichert).
>
> Gute Nachrichten von Intel. Sowas hört man gerne.

Soso ... die "Elektronen zählen", gell ...

[Fred_EM]

Der Lösch-Vorgang ist das eigentlich Aufwendige bei FLASH.

Beim Lesen werden 3 statt 2 Bits gelesen, 3 ist mehr als zwei :-)

EEPROMs gehen beim Schreiben gezielter vor, daher sind sie auch zuverlässiger und teurer als FLASH.

FLASH geht da eher radikaler vor ... und ist halt billiger.

Bei Multibit ist die größe Herausforderung, die Elektronen zuverlässig zu zählen (Ladungszustand der Zelle erfassen).


.

Das die 3 Bit-Zellen FLASH zuerst nur für USB-Sticks und Speicherkarten verwendet wird, scheint dafür zu sprechen, dass der Lese- und Schreibvorgang insgesamt länger dauert als bei 2 Bit-Zellen, weil er präziser sein muss.

Wenn IM es schafft diesen Vorgang mit weiteren Entwicklungen auf das Niveau der jetzigen 2-Bit Zellen zu heben, dann müssten die 3-Bit Zellen Speicherbausteine insgesamt schneller sein.


Wir werden sehen, bin schon sehr gespannt.

[Fred_EM]

Hört sich witzig an, ist aber so ...

Die Ladung der Zelle wird bestimmt durch die Anzahl der darin "gefangen" gehaltenen Elektronen.

Interne Dokumentationen treffen tatsächlich gezielte Aussagen über die (benötigte) Anzahl (von-bis) der Elektronen für die jeweiligen Bit-Zustände ...

Natürlich werden die nicht von Hand gezählt, das würde dann doch zu lange dauern ...


;-)

[IhrName9999]

> Interne Dokumentationen treffen tatsächlich
> gezielte Aussagen über die (benötigte) Anzahl
> (von-bis) der Elektronen für die jeweiligen
> Bit-Zustände ...

Das ist im Besten Falle nur als mathematisch ermittelter, theoretischer Wert anzusehen (der im Übrigen nur einen Anhaltspunkt gibt und niemals exakt, oft nur sehr grob näherungsweise ist).

> Natürlich werden die nicht von Hand gezählt, das
> würde dann doch zu lange dauern ...

Und auch nicht maschinell. Es wird GARNICHT gezählt sondern ein Widerstandswert ermittelt.

http://de.wikipedia.org/wiki/MLC-Speicherzelle

Ich kann mir auch ausrechnen wieviele Moleküle die Hautoberfläche meines kleinen Fingers haben müsste ... is n lustiges Rechenbeispiel und evtzl. sogar interessant, hat aber nur wenig bis garkeine Aussagekraft. Solche Zahlen werden erst in CERN interessant, wenn überhaupt ;)




4 mal bearbeitet, zuletzt am 12.08.09 10:20 durch IhrName9999.