Graphene FET

[kal-HF]

Source: "The high carrier mobility of graphene has been exploited in field-effect transistors that operate at high frequencies. Transistors were fabricated on epitaxial graphene synthesized on the silicon face of a silicon carbide wafer, achieving a cutoff frequency of 100 gigahertz for a gate length of 240 nanometers. The high-frequency performance of these epitaxial graphene transistors exceeds that of state-of-the-art silicon transistors of the same gate length."

Comment: 100GHz s.o. ist also die Grenzfrequenz derzeit, das Gate ! des FET ist 240 nm lang (logisch, weil es eine elektr. mech. Verbindung zum Schalt(mess)kreis braucht!!!), das hat nichts mit 32 nm-Fertigung zu tun, also u.a. "Jahrzehnt zurück" ist Quatsch!

MfG

[AUtor vor]

Wieso sind die 7,5mal kürzeren (240nm / 32nm=7.5 ) Normalo-Transistoren dann langsamer ? Oder schaffen die auch 100 GigaHertz ?

Hätte man zumindest dazuschreiben können. Ghz sind täglich Brot, aber Transistoren sind hier eher unbeliebt.

[qwertz123]

kal-HF schrieb:
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> Source: "The high carrier mobility of graphene has been exploited in
> field-effect transistors that operate at high frequencies. Transistors were
> fabricated on epitaxial graphene synthesized on the silicon face of a
> silicon carbide wafer, achieving a cutoff frequency of 100 gigahertz for a
> gate length of 240 nanometers. The high-frequency performance of these
> epitaxial graphene transistors exceeds that of state-of-the-art silicon
> transistors of the same gate length."
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> Comment: 100GHz s.o. ist also die Grenzfrequenz derzeit, das Gate ! des FET
> ist 240 nm lang (logisch, weil es eine elektr. mech. Verbindung zum
> Schalt(mess)kreis braucht!!!), das hat nichts mit 32 nm-Fertigung zu tun,
> also u.a. "Jahrzehnt zurück" ist Quatsch!
>
> MfG

Die 32nm und die 240nm sind lassen sich selbstverständlich vergleichen, da es bei beiden Angaben um die Gatelänge geht. Die Gatelänge ist hier jedoch eigentlich uninteressant, da es ja um die Entwicklung einer neuartigen Technologie geht. Es wurde ja nur gezeigt, dass es überhaupt möglich ist, solche Transistoren herzustellen.