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Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

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  1. Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: Anonymer Nutzer 26.05.17 - 12:21

    Ich mein irgendwann muss das shrinking unausführbar sein oder gehts ab 5nm weiter runter?

  2. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: Cespenar 26.05.17 - 13:55

    Seroy schrieb:
    --------------------------------------------------------------------------------
    > Ich mein irgendwann muss das shrinking unausführbar sein oder gehts ab 5nm
    > weiter runter?

    Wo genau diese Grenze liegt wird dir niemand so richtig sagen können. Theoretisch ist da noch viel möglich, der begrenzende Fakator werden aber die Kosten sein.
    Die nötigen Investitionen für weitere technology nodes steigen und steigen. Neue Fabs werden entsprechend auch immer teurer und müssen die Investitionen trotzdem in kurzer Zeit wieder reinholen. EUV z.B. wurde schon vor 10 Jahren groß angekündigt wird aber immer noch nicht eingesetzt weil es sich "noch" nicht rechnet.
    Aber auch hier wird sich kein Unternehmen trauen über genauere Zeitpläne und die Zeit danach zu sprechen, das verschreckt nur die Investoren.

  3. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: busaku 26.05.17 - 15:41

    Ein Silizium-Atom hat einen Durchmesser von 0,110nm bis 0,210nm (?)
    Wenn Sie es also schaffen würden mit einer Hand voll Atomen einen Transistor zu formen sind auch Werte von 1nm drin.

    Ich denke, die werden sich da noch einiges einfallen lassen ;)

  4. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: ustas04 26.05.17 - 16:17

    Seroy schrieb:
    --------------------------------------------------------------------------------
    > Ich mein irgendwann muss das shrinking unausführbar sein oder gehts ab 5nm
    > weiter runter?


    ja das sind sie schon. zumindest mit der alten methode.
    iwann kam aus den (niederlanden?) dieses tolle ding, welchres dann die ultraviolett bestrahlung prozesse verfügbar machte. somit wurde die alte grenze abgeschafft.

    es gab auch hier auf golem news darüber. jedenfalls können die jetzt weiter "shrinking" betreiben.
    die konkurrenz hat diese technik auch (gekauft).



    1 mal bearbeitet, zuletzt am 26.05.17 16:18 durch ustas04.

  5. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: Gandalf2210 27.05.17 - 03:21

    Die nm Angaben sind nur Marketing bla bla.
    Die eigentlichen Gates der Transistoren sind immer noch im Bereich 60+ nm. Da ist noch gut Luft nach unten. Und wenns eng wird bauen wir halt in die Höhe.

  6. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: SzSch 28.05.17 - 08:09

    Stimmt, so ganz Eindeutig ist es nicht wie groß diese Strukturen im Moment sind, kommt drauf an WAS man WIE mißt.
    Hat sich ja auch schon der eine oder andere mal beschwert das ja "sein" X nm kleiner sei als das der Konkurrenz.
    Aber den Bereich 60+nm haben wir doch schon eine Weile hinter uns, egal wie der Hersteller bei der Messung verfährt.

  7. Nein, der Verbraucher bestimmt die Grenze

    Autor: barforbarfoo 28.05.17 - 11:13

    Seroy schrieb:
    --------------------------------------------------------------------------------
    > Ich mein irgendwann muss das shrinking unausführbar sein oder gehts ab 5nm
    > weiter runter?

    Die Grenze wird wirtschaftlich sein, niemand wird für eine Handy-CPU 1E5 Euro bezahlen.

  8. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: FreiGeistler 28.05.17 - 15:05

    Seroy schrieb:
    --------------------------------------------------------------------------------
    > Ich mein irgendwann muss das shrinking unausführbar sein oder gehts ab 5nm
    > weiter runter?

    Seit 45 Nanometer (2007 - 2008) ist Chip-Herstellung ein Griff in die phisykalische Trickkiste nach dem anderen, weil Licht zu ungenau wurde.
    Mit so um die 22 Nm wurden die Leckströme der Transistoren zu gross (= hoher Energieverbrauch), weshalb das Gate nun 3-Dimensional um die basis herum gebaut wird. Wird aber auch nicht ewig klappen.

    Also eigentlich wurden die physikalischen Grenzen schon lange übrschritten/umgangen.
    Neue experimentelle Technologien (Graphen- /Licht- /Lehneronen- /Spin-basierte) zur industriereife bringen und die Produktion umzustellen ist aber immer noch teurer.



    2 mal bearbeitet, zuletzt am 28.05.17 15:06 durch FreiGeistler.

  9. Re: Kommt man nicht bald an das physikalisch/technische Machrbare?

    Autor: MuellersSohn 18.07.18 - 16:46

    Ich widerspreche meinem Vorredner, dass ist so nicht korrekt.

    Die Auflösungsgrenze des Lichtes war nicht das Problem, sondern das verwenden von Linsen zur Fokusierung. Bei den genutzten Lichtwellen kleiner 193nm, werden die Linsen intransparent. Ab diesem Zeitpunkt wurde dann angefangen zu tricksen zB Immersionslithographie, oder Double,Triple...Patterning.

    Der Isolator zwischen Gate und Kanal war sehr lange SiO2. Allerings werden die Leckströme zu groß (Pentium 4) weshalb nach einem anderen Material gesucht wurde -> Hafniumoxid.

    Die Idee des FINFETs besteht aus 2 Teilen:

    1) bessere Kanalkontrolle
    2) durch die schmale Struktur ist das "Gate" schon ohne angelegte Spannung "depleted", also keine freien Ladungsträger mehr, dies verschiebt die Subthresholdkurve und benötigt weniger Leistung, da die freien Ladungsträger nicht mehr ausgeräumt werden müssen.

    Letzterer Punkt kann auch mit SOI (Silicon on Insulator) erreicht werden (machen alle in Frankreich, der Rest der Welt macht FINFET.

    Zu EUV:
    Wie gesagt es gibt keine Linsen, also muss das Licht anders fokusiert werden. Dies wird mit Spiegeln erreicht....



    1 mal bearbeitet, zuletzt am 18.07.18 16:48 durch MuellersSohn.

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