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  5. › EUV-Halbleiterfertigung: Wie Chips…

Trennschicht 1 Atom Dick

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  1. Trennschicht 1 Atom Dick

    Autor: jjo 23.08.19 - 18:40

    War da nicht mal was, das man bald den Punkt erreicht (oder schon erreicht hat), bei welchem die Trennschicht zwischen den Transistoren nur noch die Dicke von einem Atom hätte und ein weiteres verkleinern damit unmöglich wäre?
    Oder vertausche ich da was?

  2. Re: Trennschicht 1 Atom Dick

    Autor: Der_KHAN 26.08.19 - 13:17

    Das Thema kommt mir auch bekannt vor. Ich glaube da vor langer Zeit was im Zusammenhang mit der Higk-K-Metal-Gate-Fertigung gelesen zu haben. Da wurde iirc davon berichtet, dass aktuell nur noch 3 Atomlagen Isolator verwendet werden. Also so vor 8 Jahren dürfte das dann gewesen sein.

    Aber bei der Angabe der Nanometer geht es ja nur um die Gate-Länge - und die ist nicht linear zur Chipfläche.

  3. Re: Trennschicht 1 Atom Dick

    Autor: Nimrais 28.08.19 - 14:07

    Die Gitterkonstante von reinem Silizium ist ungefähr ein halber Nanometer. Schon seit mehreren Generationen haben die nanometer Angaben nichts mehr mit Längeneinheiten zu tun. Da finde ich es super, dass die Hersteller auf andere Bezeichnungen zu setzen beginnen.
    Ich schätze, dass ein Transistor (FET) mehr als nur 2-3 Atome braucht um sauber zu funktionieren.
    Mit Tricks wie FinFET oder GAA Aufbau können Packdichten erreicht werden, die klassische Planartransistoren mit einer Grösse von XY nm erreichen würden. Ich nehme an, dass auch daher diese irrwitzig kleinen Zahlen kommen.

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