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Samsung: Serienfertigung von DDR3-Speicher mit 20 nm hat begonnen

Als erster Chiphersteller hat Samsung die Serienproduktion von DDR3-DRAM mit 20 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zunächst gibt es einen 2-GBit-Chip, Ende 2011 sollen 4-GBit-Bausteine folgen. Das verspricht größere und günstigere Speichermodule.

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  1. 2-GBit? 7

    erzgebirgszorro | 22.09.11 17:43 23.09.11 08:23

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