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Infineon fertigt DRAM in 90-Nanometer-Technik

Infineon hat mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90-Nanometer-Prozess-Strukturen auf 300-mm-Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90-Nanometer-Technik wurde gemeinsam mit der Nanya Technology Corporation (NTC) im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt.


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