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Freescale: Erster MOSFET mit Gallium Arsenid

Freescale hat einen ersten MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) mit Hilfe von Gallium Arsenid (GaAs) gefertigt, der die Vorteile der beiden Techniken miteinander verbinden soll. Das Unternehmen spricht von einem Durchbruch, der die Herstellung einer neuen Klasse von Leistungsverstärkern und besonders stromsparenden und kleinen aber schnellen Halbleitern ermöglicht.


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