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Infineon weiht neues Entwicklungszentrum für DRAMs ein
Autor: Golem.de 29.05.01 - 09:26
Für den weiteren Ausbau seiner Position im DRAM-Markt hat Infineon Technologies ein neues 1.765 Quadratmeter großes Entwicklungszentrum im amerikanischen Bundesstaat Vermont eröffnet. Am neuen Standort in Williston sollen in erster Linie High-Performance-DRAMs (Dynamic Random Access Memory) für den PC-Desktop-, Server- und Workstation-Markt entwickelt werden. Im Rahmen der Entwicklung, Tests und des Einsatzes neuer Speicherlösungen bei Kunden soll das Zentrum eng mit dem Bereich Memory Products von Infineon zusammenarbeiten.
https://www.golem.de/0105/14110.html
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