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Strained Germanium soll Transistorleistung verdreifachen

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Strained Germanium soll Transistorleistung verdreifachen

Autor: Golem.de 07.12.04 - 09:31

Mit einer neuen Technik will IBM die Leistung von Transistoren in Halbleitern verdreifachen. Die Technik namens "Strained Germanium" soll in Chips mit Strukturgrößen von 32 Nanometer und weniger zum Einsatz kommen. Dabei ist die Technik laut IBM kompatibel zur konventionellen CMOS-Technik, die bei der Herstellung von Chips zum Einsatz kommt.

https://www.golem.de/0412/35031.html


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Strained Germanium soll Transistorleistung verdreifachen

Golem.de | 07.12.04 - 09:31

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