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IBM und Infineon entwickeln MRAM mit höher Speicherdichte

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  1. IBM und Infineon entwickeln MRAM mit höher Speicherdichte

    Autor: Golem.de 10.06.03 - 09:41

    IBM und Infineon haben nach eigenen Angaben zusammen die bislang fortschrittlichste MRAM-(Magnetic-Random-Access-Memory-)Technologie entwickelt, bei der magnetische Speicherelemente in einen leistungsfähigen Logik-Prozess integriert wurden. Die heute vorgestellte Technologie könnte den Unternehmen zufolge zur beschleunigten Markteinführung von MRAMs beitragen.

    https://www.golem.de/0306/25854.html

  2. Flüchtigkeit von MRAM-Daten

    Autor: Nicht G.Wust 10.06.03 - 20:22

    Weiß hier zufällig jemand, wie lange sich die Informationen auf MRAMs ohne Versorgungsspannung halten?
    Wäre das tatsächlich ein vollwertiger Flash-Ersatz?

    Grüsse
    (mal nicht) G.Wust

  3. Re: Flüchtigkeit von MRAM-Daten

    Autor: andi 11.06.03 - 01:15

    Ja, ist als Flash- UND(!) DRAM-Ersatz gedacht. Mehr weiß ich auch nicht...Frühestens aber 2005, eher 2006 Massenproduktion, wahrscheinlich in PDAs zuerst, wär am sinnvollsten: 1-4 GB nichtfüchtiger Hauptspeicher, für manche Anwendungen braucht man garkeine Festplatte mehr!
    Gruß

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