STMicroelectronics: 90 nm NOR Flash ab 2004
Autor: Golem.de 16.07.03 - 09:21
STMicroelectronics hat eine NOR-Flash-Memory-Speicherzelle angekündigt, die in 90-Nanometer-Technik hergestellt wird und vor allem für Niederspannungs-Anwendungen gedacht ist. Eine einzelne, quadratische NOR-Flash-Zelle hat eine Kantenlänge von 0,08 Micron.
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